砷化鎵屬于化合物半導(dǎo)體。它的有些特性，比如更快的工作頻率（比硅快2到3倍）、低功耗、抗輻射、相鄰器件漏電流很小，使砷化鎵成為高性能應(yīng)用中十分重要的半導(dǎo)體材料。它的缺點是晶錠生長和印制電路板制造工藝均比較困難。

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沒有摻入雜質(zhì)的元素或者化合物半導(dǎo)體叫做本征半導(dǎo)體，常用來印制電路板制造。各絕對零度下，本征半導(dǎo)體形成穩(wěn)定的共價鍵，價帶填滿電子。這樣的共價鍵非常強(qiáng)，電子被共享它的原子牢牢控制。

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因此，沒有自由電子可利用，也就沒有導(dǎo)電能力。當(dāng)溫度升高到一定程度時，共價鍵有時會被打破，于是電子被釋放。釋放出來的自由電子和金屬里的自由電子行為一樣，因此在施加電場后，印制電路板制造就有可能導(dǎo)電。

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